用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质

本公开的实施例涉及用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质。该方法包括：在仿真半导体器件的暴露表面中确定各个离子的初始位置；确定各个离子中指定的基准离子在注入过程中与半导体器件的材料原子的碰撞产生的第一碰撞数据；基于各个离子中其他离子的周围材料信息与基准离子的周围材料信息的比较确定各个其他离子的第二碰撞数据；以及基于第一碰撞数据和第二碰撞数据确定各个离子在仿真半导体材料中的分布状况。本公开的技术方案能够有效减少模拟离子注入过程中的计算量，显著降低计算时间并提升模拟效率。