一种离子注入缺陷高精度无损检测方法及系统

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一种离子注入缺陷高精度无损检测方法及系统
申请号:CN202510457727
申请日期:2025-04-14
公开号:CN119985339B
公开日期:2025-07-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种离子注入缺陷高精度无损检测方法及系统,涉及无损检测技术领域,包括,选择测量光源采集反射光强度数据,使用斯托克斯矢量表示偏振光的强度分布,计算椭偏参数并确定折射角数据,通过菲涅耳公式计算复折射率并确定折射率和消光系数,分析材料的整体复介电常数;进行晶体材料区域划分,使用非线性回归法得到优化区域复介电常数,结合区域占比值构建三层复合介质模型。本发明所述方法通过计算斯托克斯参数,能够通过数值分析揭示材料内部的微观不均匀性,提高对损伤区域的解析度,通过对晶体材料区域划分,能够在离子注入后精确地区分晶态硅、非晶硅和应变硅的分布情况,提高对材料微观结构变化的解析能力。
技术关键词
复介电常数 无损检测方法 拉格朗日优化 深度学习模型 椭偏参数 非晶硅 偏振光 高灵敏度光电探测器 材料微观结构变化 超连续谱激光源 圆偏振 反射光束路径 非线性回归方法 斯托克斯参数 偏振片 强度 数据加密 偏振调制器
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