一种用于高能离子注入的装置和方法

本发明公开一种用于高能离子注入的装置和方法，涉及半导体制造领域。该用于高能离子注入的装置，包括离子发射单元，所述离子发射单元的注射端设置有回旋加速单元，回旋加速单元连接有离子输送单元，所述离子输送单元连接有离子接收单元。该用于高能离子注入的装置，由于剥离后的正离子在磁场中受到的洛伦兹力方向与负离子相反，因此会沿相反的方向进行偏转，通过离子输送单元使得剥离后的正离子束流被引出，进而经离子输送单元的输送后，实现对离子接收单元进行高精度的离子注入，能够在相对较小的空间内实现高能粒子的加速，能够满足芯片辐照所需的能量要求。