一种光学邻近校正方法、装置、设备及存储介质

本发明涉及集成电路生产领域，特别是涉及一种光学邻近校正方法、装置、设备及存储介质，通过接收待处理掩膜图形；将所述待处理掩膜图形输入预训练的可预测随机效应的光学邻近校正模型，输出对应的平均光刻胶图像；根据预设的随机效应模型参数，降低与提高所述平均光刻胶图像的亮度，得到第一变更光刻胶图像及第二变更光刻胶图像；在所述第一变更光刻胶图像中，根据预设的模型阈值，得到内圈轮廓边缘，并在所述第二变更光刻胶图像中，根据所述模型阈值，得到外圈轮廓边缘；将所述内圈轮廓边缘与所述外圈轮廓边缘之间的区域，作为光刻后概率轮廓带。本发明在不显著增加运算时间与算力占用的前提下，实现了大规模集成电路芯片版图的热点预测。