一种高密度双面精细布线扇出型芯片封装结构及方法

本发明公开了一种高密度双面精细布线扇出型芯片封装结构及方法；封装结构包括：硅片，硅片上制作有硅通孔，硅通孔内填充有导电柱，硅片背面刻蚀有凹槽；介电层，其设置在硅片正面；第一重布线层，其堆叠设置在介电层上，第一重布线上覆盖有第一钝化层；至少一个第一芯片，其贴装在第一重布线层上；第一塑封体，其覆盖于第一钝化层和第一重布线层上，将第一芯片塑封在内；第二芯片，其嵌设在凹槽内；第二塑封体，其覆盖于第二芯片上；第二重布线层，其设置于第二塑封体上；第二重布线层外覆盖有第二钝化层；信号导出结构，其设置于第二钝化层上，并与第二重布线层电连接。该方法可实现高密度三维堆叠扇出型封装以及上下两面精细线路的布线。