一种有源区结构、屏蔽栅沟槽型MOSFET结构及制备方法

本发明公开一种有源区结构、屏蔽栅沟槽型MOSFET结构及制备方法，涉及功率半导体芯片制造技术领域，包括栅极多晶硅及体区，栅极多晶硅包括第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅；多个第一栅极多晶硅和多个第二栅极多晶硅相互平行，且间隔分布；第一栅极多晶硅与栅极金属连接，第二栅极多晶硅与源极金属连接；相邻的两个栅极多晶硅之间通过体区连接；体区沿长度方向分隔为多个间隔交错分布的低Vth区域和高Vth区域；高Vth区域掺杂浓度大于低Vth区域掺杂浓度。本发明将第二栅极多晶硅连接到源极金属，有效地减少了同一芯片上器件的沟道宽度，将长沟道的高Vth区域阵列集成到器件有源区，从而降低MOSFET传输特性中的漏极电流零温度系数点，有效地增强器件的SOA性能。