大口径单晶硅非球面高精度抛光方法

本申请涉及光学加工技术领域，本申请提供一种大口径单晶硅非球面高精度抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：S10：获取大口径单晶硅非球面的全口径面形误差分布并映射至离散网格；S20：构建驻留时间分布优化模型和抛光路径规划优化模型，以大口径单晶硅非球面的面形误差参数作为输入，输出最优驻留时间分布矩阵和抛光路径序列；S30：基于最优驻留时间分布矩阵和抛光路径序列，对大口径单晶硅非球面进行抛光处理；S40：每次抛光循环后，重复S10‑S40步骤至达到迭代次数。本申请通过构成“时间分配‑路径规划‑动态校准”的闭环控制方法，显著提升大口径非球面抛光的面形精度和效率。