一种光电镊芯片及其制造方法

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一种光电镊芯片及其制造方法
申请号:CN202510524567
申请日期:2025-04-24
公开号:CN120605775A
公开日期:2025-09-09
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种光电镊芯片及其制造方法,本申请的一种光电镊芯片,在基底上设置光电导单元,当光束照射在该光电导单元上时能激发产生介电泳力,能实现对细胞的有效操控。通过在基底上设置纵向的第一光电导层和第二光电导层,不会出现采用单一的光电导材料沉积时,因为沉积高度过高容易导致的位错、悬挂键等缺陷;第一光电导层的材质和第二光电导层采用的光电导材料不同,可根据不同的响应速度进行搭配,使得光电导单元兼具快速响应并增强局部电场的效果。通过在相邻的两个光电导单元之间填充介电材料,能优化横向电场的分布,使得整个芯片对于细胞的操控效果更稳定,避免出现操控力忽高忽低的现象。
技术关键词
光电 填充结构 芯片 基底 沉积介电材料 制作导电层 缓冲层 横向电场 光刻 金属电极 无机材料 电源 阶梯 光束 腔室
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