芯片封装散热结构制造工艺及芯片封装散热结构

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芯片封装散热结构制造工艺及芯片封装散热结构
申请号:CN202510528803
申请日期:2025-04-24
公开号:CN120388894A
公开日期:2025-07-29
类型:发明专利
摘要
本发明涉及封装技术领域,公开了封装散热结构制造工艺及封装散热结构,该工艺包括如下步骤:在芯片裸片背面电镀或沉积出导热柱阵列;用导热材料将导热柱中间间隙填充;在导热柱阵列上方放置石墨烯层,根据芯片裸片的热点分布,分区域调控石墨烯的方向;用导热材料在石墨烯层上侧粘接固定散热盖。本发明的封装散热结构制造工艺,有效避免了热量在芯片裸片表面即扩散至平面散热的低效模式,使得热量能够快速且集中地向导热材料上层传递,降低了芯片裸片局部过热的风险,有效保障了芯片的稳定运行与使用寿命。
技术关键词
芯片封装散热结构 导热柱 导热材料 硅胶复合材料 散热盖 回流槽 纳米金刚石 高功耗 阵列 石墨烯 电镀 热点 定位凹槽 氧化层 油污 风险 模式
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