蓝宝石GaN HEMT功率芯片的制作方法

本发明涉及蓝宝石GaN HEMT功率芯片的制作方法，包括蓝宝石基GaN外延，所述蓝宝石基GaN外延的上方制作HEMT器件结构，刻蚀掉对应所述HEMT器件结构的源极和漏极的硅衬底部分阻断通过硅衬底的导电通道，并采用沉积导热性良好的绝缘材料AlN，并继续沉积高导热材料，提高芯片的导热性和机械强度；本发明优点在于：避免传统的GaN HEMT功率器件与驱动模块的互连方式带来的寄生电容电感的问题，并且寄生带来的尖峰电压/LC振荡等问题将会降低氮化镓器件的高频性能以及带来各种可靠性问题。同时避免了传统的基于分立的GaN HEMT功率器件与驱动模块的互连，占用大量的面积，增加了封装成本的问题。