一种高光效倒装LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种高光效倒装LED芯片及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上形成外延层；在P型半导体层上形成透明导电层，蚀刻形成N型半导体台面和P型半导体台面；在N型半导体台面、P型半导体台面及台面侧壁上形成介质层；对P型半导体台面上的介质层开设周期性导电通孔，暴露透明导电层，在周期性导电通孔内及介质层上形成金属反射层；对N型半导体台面上的介质层开设通孔，暴露N型半导体台面；在金属反射层和介质层上形成透明保护层，对透明保护层开设电极通孔并分别暴露金属反射层和N型半导体台面；在电极通孔内形成P电极和N电极。实施本发明，可以实现倒装LED芯片的光效提升。