一种单粒子闩锁效应的电路级仿真方法

本发明提供一种单粒子闩锁效应的电路级仿真方法，包括：在抗辐照加固的电路版图中，利用几何参数提取脚本，得到抗辐照加固设计的关键几何参数；利用TCAD仿真，仿真得到关键几何参数与寄生闩锁结构参数的对应关系；利用脚本批量化提取版图的特征尺寸，并根据对应关系生成带闩锁结构的SPICE网表；使用SPICE仿真评估版图的抗单粒子闩锁能力，实现电路级对单粒子闩锁的仿真。本发明通过器件级仿真，建立版图几何尺寸和CMOS工艺寄生闩锁结构SPICE模型参数的对应关系，做到电路级批量化仿真评估抗单粒子闩锁能力，显著提升集成电路在辐射环境下的可靠性评估效率。