一种基于薄膜铌酸锂的太赫兹产生芯片及其制备

本发明提出了一种基于薄膜铌酸锂平台的太赫兹产生芯片及其制备方法，属于集成光学和微波光子领域。该芯片利用薄膜铌酸锂上的二阶非线性差频效应产生太赫兹波，通过对铌酸锂层的光波导结构和硅层的太赫兹波导结构参数设计，实现光场和太赫兹场的相位匹配。所述的器件包括：非线性作用层、隔离层、太赫兹传输层以及衬底层。首先，通过机械抛光工艺对硅层进行减薄处理，接着在减薄后的硅层底部粘合聚四氟乙烯，最后进行波导结构刻蚀，构建特定的波导形状与尺寸，实现太赫兹波的高效产生与传输。该方法具有很强的实际操作性，在太赫兹通信、光谱学、遥感等领域具有广阔的应用前景。