一种光波导和DFB激光器集成芯片的制备方法

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一种光波导和DFB激光器集成芯片的制备方法
申请号:CN202510550985
申请日期:2025-04-29
公开号:CN120300597A
公开日期:2025-07-11
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种光波导和DFB激光器集成芯片的制备方法。通过在硅晶圆衬底上预先制备通孔阵列,以及特定的制备工艺,可以使金属电极通孔阵列穿过绝缘层和硅晶圆衬底材料,进而直接将DFB激光器和半导体制冷器连接起来,这样可以有效提高该集成芯片的散热性能。
技术关键词
集成芯片 金属电极 氮化硅层 DFB激光器 半导体制冷器 阻挡层 激光器外延片 晶圆键合技术 光波导 阵列 种子层 二氧化硅 衬底 金属材料 电镀 通孔 尺寸
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