晶圆级封装方法及集成芯片

本申请实施例公开一种晶圆级封装方法及集成芯片，方法包括：提供尺寸大于12寸的硅片，硅片的硅含量比例大于80％，在大于12寸的硅片上形成TSV孔，得到尺寸大于12寸的中介层，对TSV孔进行预处理，在尺寸大于12寸的中介层的表面形成UBM层，并将芯片键合在UBM层上，在中介层带有芯片的表面上进行塑封处理，得到大于12寸的塑封晶圆。本申请实施例提供的集成芯片的晶圆级封装方法，以大于12寸的硅片作为中介层以增加集成芯片封装的面积，容纳更多处理器或存储芯片的封装，从而满足在人工智能领域上对高速运算的需求且提高中介层的利用率，更好的解决了当前人工智能芯片集成化封装产能不足和成本高昂的问题。