一种光刻工艺中光刻胶角度的调整方法以及碳化硅芯片的制备方法

本发明提供了光刻工艺中光刻胶角度的调整方法以及碳化硅芯片的制备方法，包括采用光刻机对光刻胶连续进行N次曝光，N≥2，获得台阶状的感光区，所述台阶状由上至下分为多段且各段的宽度由上之下依次减少；显影处理，形成台阶状的光刻胶图形；在预设温度下烘烤，使所述光刻胶图形形成带弧状的侧壁，所述预设温度至少为所述光刻胶的玻璃化转变温度。本发明采用对光刻胶连续多次曝光后再显影，结合烘烤工艺实现对光刻胶侧壁角度的大幅度调整，可获得较为倾斜的光刻胶图形侧壁。