突触薄膜晶体管以及制备方法

本申请涉及一种突触薄膜晶体管以及制备方法。本申请提供的突触薄膜晶体管为堆叠结构，自下而上依次包括：栅极、导电基底、介电层、N型半导体薄膜层、第一电极、第二电极以及P型半导体薄膜层，第一电极和第二电极间隔设置于N型半导体薄膜层的上面，P型半导体薄膜层覆盖于N型半导体薄膜层、第一电极和第二电极之上，N型半导体薄膜层和P型半导体薄膜层的能级匹配。本申请通过堆叠能级匹配的N型半导体薄膜层和P型半导体薄膜层，以使突触薄膜晶体管具备双极性功能，从而简化了电路设计，提高了仿生神经网络硬件的集成度。