摘要
本发明涉及半导体领域,其提供了一种半导体结构的制造方法、波导及光子集成电路芯片。其中半导体结构的制造方法包括以下步骤:形成波导结构;在所述波导结构上方及周围沉积氧化物层;调节所述氧化物层的顶面与所述波导结构的顶面之间的相对高度,使得所述波导结构高于所述氧化物层。
技术关键词
波导结构
光子集成电路芯片
半导体结构
高深宽比工艺
图形化掩膜层
高密度等离子体
湿法工艺
氮化硅层
刻蚀工艺
层材料
氧化硅
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