半导体结构的制造方法、波导及光子集成电路芯片

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半导体结构的制造方法、波导及光子集成电路芯片
申请号:CN202510577424
申请日期:2025-04-30
公开号:CN120405843A
公开日期:2025-08-01
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体领域,其提供了一种半导体结构的制造方法、波导及光子集成电路芯片。其中半导体结构的制造方法包括以下步骤:形成波导结构;在所述波导结构上方及周围沉积氧化物层;调节所述氧化物层的顶面与所述波导结构的顶面之间的相对高度,使得所述波导结构高于所述氧化物层。
技术关键词
波导结构 光子集成电路芯片 半导体结构 高深宽比工艺 图形化掩膜层 高密度等离子体 湿法工艺 氮化硅层 刻蚀工艺 层材料 氧化硅 光刻 机械 气相 图案
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