一种氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片

本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片，其中，所述方法包括：在衬底上形成氧化钨薄膜；在氧化钨薄膜上形成具有目标图形的掩膜层；采用ICP刻蚀设备中的混合气体对具备掩膜层的氧化钨薄膜进行刻蚀；在ICP刻蚀设备中，混合气体包括三氟甲烷和氩气，三氟甲烷在混合气体中的占比范围为22.5%至74.1%，混合气体的流量为135‑155 sccm，ICP功率与偏置功率的比值范围为1.53:1至3.3:1，氧化钨刻蚀结构的深宽比范围为10:1至23：1，氧化钨刻蚀结构的侧壁倾斜角为40‑90度，解决了相关技术中难以实现纳米级线宽高深宽比的氧化钨刻蚀结构的技术问题。