一种LED芯片结构的制备方法以及LED芯片结构

本公开涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种LED芯片结构的制备方法以及LED芯片结构。本公开提供了一种LED芯片结构的制备方法以及LED芯片结构，其中，所述方法包括：在衬底上形成半导体层；将第一离子和第二离子周期性交替注入半导体层中，以在半导体层内形成多个绝缘隔离区，多个绝缘隔离区将半导体层分割成多个LED单元结构；其中，第一离子为正离子和负离子中的其中一种，第二离子为正离子和负离子中的另一种；在绝缘隔离区内形成光子晶体结构，以抑制光的横向扩散。本公开通过对半导体层进行正离子和负离子的周期性交替注入，以在半导体层内形成多个绝缘隔离区，正负离子交替注入使得载流子俘获能力增强，从而进一步提高绝缘隔离区的绝缘效果。