一种采用图形化金属衬底的半导体激光芯片及其制备方法

本发明涉及一种采用图形化金属衬底的半导体激光芯片及其制备方法，解决现有半导体激光芯片采用砷化镓材料作为芯片衬底时，芯片衬底产生的热源热量高，传统散热路径在热传递时存在热阻大、散热效率不佳的问题。本发明在原芯片衬底上开设刻蚀槽，在刻蚀槽内设置沉积金属层替换部分砷化镓衬底材料，而沉积金属层内的金属材料电阻低，导热系数高，这种设计使芯片衬底整体的电阻值降低，热源热量减少，从而提升电光转换效率；沉积金属层位于发光单元下侧，这样发光单元产生的热量可通过沉积金属层传导至焊料层，进而传递至热沉，重构了传热路径，并且沉积金属层的热阻低，可减少整个传热路径上的传导热阻，强化散热。