摘要
本发明属于晶圆切割技术领域,公开了一种晶圆的激光切割方法,包括以下步骤:在晶圆的正面依次涂覆保护胶和保护液,得到晶圆A;将晶圆A的背面贴在UV膜上,然后进行激光切割,得到晶圆B;对晶圆B进行第一水流冲洗,得到晶圆C;对晶圆C进行扩摸,得到晶圆D;对晶圆D依次进行第一化学溶剂浸泡和第二化学溶剂浸泡,得到晶圆E;对晶圆E的正面进行曝光,然后进行显影液浸泡。本发明通过晶圆正面的保护胶能够避免晶圆贴UV膜时正面可能产生的划伤风险;同时改善薄片晶圆贴UV膜时的翘曲问题;此外还解决了化学溶剂浸泡导致的晶圆正面芯片边沿空悬的问题。
技术关键词
激光切割方法
显影液
水流
晶圆切割技术
正面
保护液
保护胶
紫外光
光刻胶
双氧水
芯片
氨水
磷酸
涂覆
水压
薄片
氧气
波长
系统为您推荐了相关专利信息
养殖水质监测
时空分布特征
调控策略
水池
轨迹特征
基座板
基座组件
集成电路芯片
铝合金管道
散热基座
半导体光刻设备
像素点
柔性衬底
对准标记
校准方法