一种半导体光刻设备的校准方法及校准系统

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一种半导体光刻设备的校准方法及校准系统
申请号:CN202511080595
申请日期:2025-08-04
公开号:CN120578019B
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本申请涉及光刻机控制技术领域,尤其涉及一种半导体光刻设备的校准方法及校准系统。其中,校准方法包括以下步骤:在柔性衬底的背面投影光栅校准图案,采集得到衬底背面图像;通过相位解包裹算法确定所述衬底背面图像上各个像素点的深度值;获取柔性衬底正面的衬底正面图像;根据所述衬底正面图像上各个像素点三维坐标对所述衬底正面图像进行修正,得到虚拟正面图像;通过所述虚拟正面图像和掩模图像进行对齐;在对齐后将掩模图像转印到柔性衬底上。本申请对褶皱变形的第一对准标记区域进行拉伸展平,使得光刻设备的对准算法能够对齐衬底正面图像上的第一对准标记和掩模图像上的第二对准标记,保证柔性衬底的多层电路不发生错位。
技术关键词
半导体光刻设备 像素点 柔性衬底 对准标记 校准方法 相位解包裹算法 包裹相位 正面 深度值 校准系统 图像采集单元 掩模 结构光 光栅 对准算法 图案 多层电路
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