应用于晶圆光学量测的对准标记结构及量测方法

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应用于晶圆光学量测的对准标记结构及量测方法
申请号:CN202511220528
申请日期:2025-08-29
公开号:CN120709261B
公开日期:2025-11-11
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种应用于晶圆光学量测的对准标记结构及量测方法,在所述对准标记结构中,对准标记结构设置于晶圆的切割道内,且位于光学量测目标的附近,对准标记结构包括:至少两个对准标记:第一标记和第二标记,第一标记和第二标记的图形为非中心对称图形且图形相异,所有对准标记间隔式镶嵌在多个测量垫之间,且第一标记和第二标记的图形为至少两层或两层以上的晶圆的介质层以上下相同的非中心对称图形套刻制作;第一标记和第二标记之间间隔若干测量垫,光学量测目标位于第一标记和第二标记之间,或者光学量测目标位于第一标记或第二标记的一侧,无需针对不同的产品频繁的重建或修改量测设备的量测程式,便于实现量测程式的标准化和自动化。
技术关键词
对准标记结构 量测设备 晶圆 图案 非中心对称 量测结构 小尺寸 芯片 介质 间距 光斑 线条 阵列
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沪ICP备2023015588号