一种激光切割后半导体晶圆的清洗方法、应用和产品

本发明属于半导体清洗技术领域，公开了一种激光切割后半导体晶圆的清洗方法、应用和产品，清洗方法包括以下步骤：对激光切割后的半导体晶圆采用第一水压进行第一次水流冲洗，得到晶圆A；对晶圆A进行扩摸，得到晶圆B；对晶圆B依次进行第一化学溶剂浸泡和第二化学溶剂浸泡，完成清洗。其中，第一水压为0.3mPa‑0.9mPa，第一化学溶剂包括磷酸和双氧水，第二化学溶剂包括氨水。本发明将水流冲洗与化学溶剂浸泡相结合，形成了良好的协同效应，水流冲洗作为预处理，无需严格控制高水压，化学溶剂浸泡则进一步去除水流冲洗剩余的热熔物；整个清洗过程操作简便，减少了因调节水压、更换特殊溶剂等带来的时间浪费，提高了生产效率。