一种光芯片及其制造方法

本发明涉及光芯片技术领域，具体公开了一种光芯片及其制造方法，包括多层光子集成电路和电子集成电路，所述多层光子集成电路包括若干依次堆叠键合的光子集成电路层，相邻的光子集成电路层之间形成有供光信号垂直互连的光通路，最顶层的光子集成电路层与所述电子集成电路互连互通，通过多层介质波导实现光信号自由传输和互连，通过多层介质光波导和结构实现光垂直互连和光过孔，且通过多层堆叠设计，便于外接扩展单元，具有高设计自由度，解决了传统的具备多层结构的光芯片，其需要单独设计模块以进行互联，与当前的芯片架构适配性弱的问题。