一种基于无间隙结构校准的接触电阻率提取方法

本发明公开了一种基于无间隙结构校准的接触电阻率提取方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：基于矩形传输线模型(RTLM)或优化版阶梯传输线模型(R‑LTLM)结构测量接触电阻，RTLM结构中保持每组两电压触点之间间距不变，改变金属层的间距作为变量；R‑LTLM结构中保持金属层之间总间距不变，以阶梯结构长度为变量；引入无间隙测试结构的测量结果对上述电阻进行校准，拟合提取新曲线的斜率和特征值；根据半导体和金属方阻的值、新曲线斜率和特征值，计算接触电阻率。本发明的提取方法的核心在于无间隙测试结构理论电阻值与实际测量值存在差异，在保证了高提取精度的同时，降低了工艺精度对提取结果造成的误差。