摘要
本发明实施例提供了一种扇入型封装结构的制备方法和扇入型封装结构,涉及芯片封装技术领域,该方法首先在载具上贴装第一晶圆,然后对第一晶圆进行切割,从而得到多个间隔分布的第一芯片,然后利用载具扩张多个第一芯片,从而增大多个第一芯片的分布间距,然后再进行塑封形成第一塑封体,并剥离载具后形成重布线层。相较于现有技术,本发明实施例提供的制备方法,能够在扩张后再进行重新布线,从而能够提升晶圆切割后的芯片分布距离,重布线层的面积得以大幅提升,进而提升了布线层密度以及焊球密度,提升了产品性能。
技术关键词
封装结构
重布线层
晶圆
保护胶层
胶膜
导电柱
芯片封装技术
焊球
凹槽
正面
密度
间距
电镀
外露
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