功率半导体芯片回流焊方法及系统

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功率半导体芯片回流焊方法及系统
申请号:CN202510654508
申请日期:2025-05-21
公开号:CN120184025B
公开日期:2025-08-19
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种功率半导体芯片回流焊方法及系统。功率半导体芯片回流焊方法包括:将待焊接的功率半导体芯片放置于回流炉中,且令待焊接的功率半导体芯片与焊料贴合;执行加热操作;执行抽气操作;执行冷却操作;将功率半导体模块取出。执行第i次抽气后达到气压值P(i);两次抽气操作间隔时间取值范围为[3s,10s];2≤N≤4;P(1)取值范围为[40000Pa,65000Pa];P(N)取值范围为[50Pa,45000Pa];P(1)>P(2)>……>P(N);第1次、第2次、……、第N‑1次抽气操作使得回流炉内气压下降幅值取值范围均为[1000Pa,60000Pa]。
技术关键词
功率半导体芯片 回流焊方法 功率半导体模块 陶瓷覆铜基板 空洞 回流焊系统 焊料 加热 大气压 处理器 抽真空 氮气
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