一种可切换模式的氧化钽基RRAM及应用

本发明公开一种可切换模式的氧化钽基RRAM及应用，属于半导体存储器件领域；一种可切换模式的氧化钽基RRAM，包括由上至下依次堆叠的：顶电极、Ta2O5层、TaOx层以及底电极；所述氧化钽基RRAM在不同电压下能够控制导电细丝断裂位置，并通过不同的电压阈值，实现氧化钽基RRAM在双极型忆阻器模式与互补电阻模式间切换。并且通过在读写和计算过程中调节信号输入，使RRAM器件在存储数据时保持互补电阻模式的高阻态，以减轻潜行电流干扰；在读出数据时保持双极性忆阻器模式，以避免存在破坏性读出问题。