一种碳化硅辐射损伤缺陷的表征方法及应用

本发明属于碳化硅缺陷检测技术领域，具体公开了一种碳化硅辐射损伤缺陷的表征方法及应用，包括以下步骤：首先，分别将未经辐照的待测样品A和经辐照的待测样品B放置在载物台上，进行拉曼光谱采集；然后，光谱预处理；最后，振动信息分析：对比碳化硅样品A和碳化硅样品B的低频振动信息，结合碳化硅晶片的理论拉曼光谱计算结果，获取碳化硅辐照后分子间相互作用和晶格振动的变化信息。本发明采用上述一种碳化硅辐射损伤缺陷的表征方法及应用，具有简单、无损、无标记的优点，在碳化硅质量控制和快速检测方面具有重要的应用前景，为芯片、航天航空、国防等领域的晶体辐射损伤检测提供了有效手段。