摘要
本发明公开了一种GaN集成芯片和器件,GaN集成芯片包括耗尽型功率开关管和启机电路,耗尽型功率开关管具有第一源电极、第一漏电极和第一栅电极,启机电路至少包括启机器件、电容结构和二极管结构,启机器件具有第二源电极,第一源电极的一端与二极管结构的正极电性连接,二极管结构的负极与第二源电极的一端电性连接,二极管结构的负极还与电容结构的一端电性连接,启机时,启机器件处于导通状态,启机后,启机器件处于关断状态;启机电路用于在启机时为IC供电,第一源电极用于在启机后为IC持续供电。本发明的一种GaN集成芯片和器件,极大地简化了启机电路和启机后的供电电路的结构,有利于降低成本,提升器件的可靠性。
技术关键词
集成芯片
二极管结构
电阻结构
启机电路
电容结构
电极
耗尽型
功率开关
控制启动功能
集成电路
低压
负极
供电电路
级联
关断
接口
输出端
系统为您推荐了相关专利信息
MEMS惯性器件
PN结
惯性器件技术
信号
P型掺杂层
光学集成芯片
光学封装结构
光学元件
透明膜
盖结构
压力传感器单元
胆道支架
流量传感器单元
无线供电模块
胆汁
封装底座
激光器芯片
光学透镜
激光器电极
热敏电阻