一种GaN集成芯片和器件

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一种GaN集成芯片和器件
申请号:CN202510660647
申请日期:2025-05-22
公开号:CN120185591B
公开日期:2025-08-26
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种GaN集成芯片和器件,GaN集成芯片包括耗尽型功率开关管和启机电路,耗尽型功率开关管具有第一源电极、第一漏电极和第一栅电极,启机电路至少包括启机器件、电容结构和二极管结构,启机器件具有第二源电极,第一源电极的一端与二极管结构的正极电性连接,二极管结构的负极与第二源电极的一端电性连接,二极管结构的负极还与电容结构的一端电性连接,启机时,启机器件处于导通状态,启机后,启机器件处于关断状态;启机电路用于在启机时为IC供电,第一源电极用于在启机后为IC持续供电。本发明的一种GaN集成芯片和器件,极大地简化了启机电路和启机后的供电电路的结构,有利于降低成本,提升器件的可靠性。
技术关键词
集成芯片 二极管结构 电阻结构 启机电路 电容结构 电极 耗尽型 功率开关 控制启动功能 集成电路 低压 负极 供电电路 级联 关断 接口 输出端
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