一种共漏极双MOSFET芯片封装结构

本发明提供了一种共漏极双MOSFET芯片封装结构，其包括引线框架基岛、设置于所述引线框架基岛相对两侧的多个引线框架引脚、堆叠于所述引线框架基岛上的第一MOSFET芯片和第二MOSFET芯片以及将所述引线框架基岛、所述多个引线框架引脚、所述第一MOSFET芯片和所述第二MOSFET芯片包裹的塑封体，所述多个引线框架引脚包括设置于所述引线框架基岛一侧的引线框架第二S极引脚和设置于所述引线框架另一侧的引线框架第一G极引脚、引线框架第二G极引脚，所述引线框架基岛、所述引线框架第一G极引脚、所述引线框架第二G极引脚、所述引线框架第二S极引脚的外表面都位于同一平面上，并且外表面都暴露于所述塑封体外。本发明的共漏极双MOSFET芯片封装结构具有体积小的优点。