一种沟槽肖特基二极管元胞结构

本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种沟槽肖特基二极管元胞结构，在衬底上生长外延层，在外延层中向下延伸设置有沟槽，沟槽底部和侧壁与外延层设置第一肖特基势垒区，沟槽内部设置导电物质，外延层上表面、有源区内设有第二肖特基势垒区，能够实现超低的结势垒压降，制作出的二极管芯片具有正向压降低，开关速度快等优点。