一种芯片缺陷来源分析方法及其设备

本发明提供一种芯片缺陷来源分析方法及其设备，方法包括得到待检测芯片和相邻芯片干法刻蚀后形成缺陷区域和参考区域内凹槽的检测图像，计算缺陷区域和参考区域的凹槽深度差ΔH；干法刻蚀工艺中第i个刻蚀步骤后需要刻蚀深度为ΔHi，判断形成缺陷的刻蚀步骤。本发明通过缺陷区域和参考区域的凹槽深度差与干法刻蚀中每个刻蚀步骤后还需要刻蚀的深度比较，判断产生缺陷的刻蚀步骤，无需切片，节约成本，同时整体检测周期短，检测方法效率高，且能保证缺陷来源分析结果的准确度；另外采用角度步进顺序对凹槽的不同位置得到检测图像，提高检测精度；最后第一预设步进顺序和第二预设步进顺序的步进缩小检测，减少检测成像次数，提高得到的凹槽入射角精度。