超高压碳化硅启动控制芯片保护方法及系统

本发明涉及超高压碳化硅启动控制芯片保护方法及系统，方法包括获取超高压碳化硅启动控制芯片的运行参数和复合结构特性数据，并进行TVS‑MOSFET分阶特性分析，得到芯片实时状态信息；获取超高压碳化硅启动控制芯片的栅极充电曲线，与芯片实时状态信息进行关联分析，得到多阈值保护参数；获取超高压碳化硅启动控制芯片的电流变化数据，对所述芯片实时状态信息进行米勒平台特征分析，得到电流异常趋势；对多阈值保护参数和所述电流异常趋势进行温度控制构建，得到初始控制方案；将初始控制方案与潜在故障区域进行钳位关断策略构建，得到芯片启动保护策略。本发明能通过综合调整策略实现芯片的优化启动保护，从而有效延长芯片寿命。