通过热自分裂工艺制造具有薄膜芯片结构的高输出紫外（UV）LED的方法

本发明涉及通过热自分裂工艺制造具有薄膜芯片结构的高输出紫外(UV)LED的方法。所述方法包括：在由SiC制成的生长基底上依次形成缓冲层和发射层的外延生长步骤；在发射层上形成n欧姆层和/或p欧姆层的第一制备工艺步骤；向生长基底的内部辐射激光以形成修改层的生长基底修改步骤；将支撑基底接合到n欧姆层和p欧姆层中的一者的支撑基底接合步骤；利用修改层作为边界来分离生长基底并在发射层中留下作为生长基底的一部分的籽晶区的生长基底分离步骤；将籽晶区和缓冲层一起移除以露出发射层或者仅移除籽晶区以露出缓冲层的籽晶区移除步骤；以及形成包括电连接到发光层的电极的器件结构的第二制备工艺步骤。