超导量子芯片连通链室温电阻测量方法、装置、设备及介质

本发明涉及一种超导量子芯片连通链室温电阻测量方法、装置、设备及介质，属超导量子芯片制造技术领域。该方法针对超导量子芯片的连通链表面同时存在有机残留物层与氧化层的双绝缘层情况，特别设置了分阶段施加击穿电压的击穿方法，并在每个击穿阶段均对应设置了电压值是否达到阈值以及电阻是否明显变化的多角度击穿确定，相较于现有直接设置最终电压击穿阈值的击穿方法，不但可避免因电压击穿阈值偏大损坏连通链，还可明确确定对双绝缘层都完成了击穿，实现在双绝缘层情况下对超导量子芯片连通链室温电阻的可靠准确测量，提高连通链室温电阻测量准确度，从而提高超导量子芯片制造可靠度。