摘要
本发明公开了一种显示芯片及其制作方法。该显示芯片包括:衬底;第一掩膜层,设置于衬底的一侧,第一掩膜层上具有开口,开口暴露部分衬底;第二掩膜层,设置于衬底的一侧,第二掩膜层具有相对设置的顶面和底面,底面设置于开口内,顶面在衬底上的正投影大于底面在衬底上的正投影;发光器件层,设置于第一掩膜层远离衬底的一侧,部分发光器件层通过开口延伸至衬底。降低了位错传输至发光器件层的密度,在第一掩膜层远离衬底的一侧外延生长发光器件层时,可以提高发光器件层的生长质量,从而可以提高显示芯片的性能。
技术关键词
金属反射层
掩膜
衬底
分布式布拉格反射层
发光器件
芯片
电极
层叠
凹槽
外延
密度
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