一种偏振稳定的高功率半导体激光器封装结构及封装工艺

本申请涉及半导体激光器的技术领域，尤其是涉及一种偏振稳定的高功率半导体激光器封装结构及封装工艺，一种偏振稳定的高功率半导体激光器封装结构，包括芯片结构以及热沉结构，所述芯片结构包括外延片，所述外延片包括P面和N面，所述P面的两端开设有限制沟槽，所述P面上依次整面蒸镀有第一金属层以及第二金属层，所述第二金属层的表面为平面，所述热沉结构包括由碳化硅制成的基板，所述基板的两侧设有铜板，所述铜板远离基板的一侧设有接触层，所述接触层材料为钛或金。本案热沉采用高导热CTE（即热膨胀系数）匹配的的SiC基板，可以有效的降低热沉的应力，提升高功率激光器芯片的偏振度和稳定性。