半导体微结构沟槽中填充中子转化材料的方法和装置

本发明提供了半导体微结构沟槽中填充中子转化材料的方法和装置，属于半导体技术领域。本发明采用湿法离心的冷态技术路线，在不加热半导体的前提下，利用离心的方式将胶体中的氟化锂微粒填充到微结构中。在离心力的作用下，微结构中的氟化锂填充致密且完全，达到MSND芯片的工艺要求。在本发明中，含有微结构沟槽的半导体（3）通过静电自粘薄膜（2）固定于半导体装载器（1）表面，由于半导体（3）本身密度较低，且体积较小，能避免因溶液流动造成的翻滚或位移；半导体装载器（1）设有限位卡口（12），通过限位卡口（12）与支撑架（4）的立柱（41）配合安装，可实现固定半导体装载器（1），避免半导体装载器（1）发生旋转或翻滚。