一种提高深硅刻蚀底部拐角平整度的方法

本发明的目的在于提供一种提高深硅刻蚀底部拐角平整度的方法，属于半导体芯片制造技术领域，该方法仅通过调节钝化时C4F8的通气时间与气体流量，即可提高深硅刻蚀底部拐角平整度，并提高芯片性能。本发明仅通过C4F8与SF6就可以改善底部拐角平整度的，不需要加入氯基气体，消除了氯基气体泄露对人体危害的影响，降低工艺成本。