一种射频芯片去嵌测试结构及方法

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一种射频芯片去嵌测试结构及方法
申请号:CN202510713878
申请日期:2025-05-30
公开号:CN120490769A
公开日期:2025-08-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种射频芯片去嵌测试结构及方法,该结构包括在PCB板上设置的第一共面波导结构和第一微带转波导结构,其中,所述第一共面波导结构包括信号传输线和位于信号传输线两侧的平行延伸参考地,所述第一微带转波导结构包括位于信号传输线末端的辐射贴片、在平行延伸参考地末端围绕辐射贴片的环形闭合参考地、以及在环形闭合参考地上设置的波导,其中所述信号传输线的首端用于接入射频芯片信号,所述辐射贴片用于将电磁波信号辐射至所述波导中,所述波导用于接入测试仪器。本发明通过微带转波导结构进行去嵌设计,解决了传统方法插损大、一致性差的问题,而且微带转波导结构比较稳定。
技术关键词
射频芯片 共面波导结构 信号传输线 测试结构 微带 矢量网络分析仪 频谱仪 贴片 测试仪器 测试方法 镜像 环形 功率 接口
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