LED芯片及其制备方法

本发明涉及发光二极管制造技术领域，尤其涉及一种LED芯片及其制备方法。LED芯片的制备方法包括：提供外延片；形成绝缘层、第一绝缘层开孔；形成光刻胶层，刻蚀形成第二绝缘层开孔；形成Ag金属层和扩散阻挡层，腐蚀减薄扩散阻挡层并刻蚀第二绝缘层开孔的侧壁，形成第三绝缘层开孔；形成保护层；形成钝化层、钝化层开孔；形成焊盘层。其中，保护层的宽度‑扩散阻挡层的宽度≥2μm；焊盘层的侧壁与扩散阻挡层的侧壁之间的距离≥10μm，实施本发明，可阻挡Ag金属层中Ag的扩散，防止其与焊盘层结合形成合金，大幅提升了LED芯片的可靠性。