基于电场调控的高速高响应多模光电探测器芯片

本发明涉及一种基于电场调控的高速高响应多模光电探测器芯片，属于近红外光电探测技术领域。该光电探测器芯片包括阵列排布的管芯，每个管芯均包括半导体外延结构、抗反射膜、位于半导体外延结构和抗反射膜表面的金属电极以及形成于芯片表面的金属焊盘，其中金属电极经过抗反射膜表面延伸至金属焊盘。半导体外延结构包括P型接触层、N型接触层以及两接触层之间的耗尽层，耗尽层包括吸收层、崖层和收集层。本发明通过优化半导体外延结构的设计，精确调控耗尽层内的电场分布，使光生载流子以超饱和速度输运，极大提高了探测器芯片的响应速度。同时兼顾光子吸收率，使探测器芯片获得高响应度，突破带宽‑响应度互相制约的问题。