红光Micro LED的外延结构、芯片结构的制备方法及芯片结构

本申请提供了一种红光Micro LED的外延结构、芯片结构的制备方法及芯片结构，涉及半导体技术领域。包括依次层叠设置的衬底、N型刻蚀截止层、N型接触层、N型附着层、N型粗化层、N型保护层、N型电流扩展层、发光区、P层电流扩展层、P型保护层、P型过渡层、P型接触层，所述发光区与N型电流扩展层之间，以及所述发光区与P层电流扩展层之间两者中至少其一设置有插入限制层，所述插入限制层用于在形成芯片的过程中，在两端形成绝缘部。本申请可以限制电流的横向扩展，使更多的载流子注入到有源区中，大大提高电流注入率，所以即使注入电流很小也可以得到局部较高的电流密度，从而提高发光效率。