半导体器件及半导体器件的制作方法

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半导体器件及半导体器件的制作方法
申请号:CN202510732920
申请日期:2025-06-03
公开号:CN120690753A
公开日期:2025-09-23
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种半导体器件及半导体器件的制作方法,其中,半导体器件包括:多个二极管芯片,封装于封装层中;其中,至少部分二极管芯片呈第一安装状态,另外部分二极管芯片呈第二安装状态,第一安装状态与第二安装状态为相对反向设置;且各多个二极管芯片沿其层叠方向的投影互不重叠;线路层,线路层与封装层的二极管芯片层叠设置;封装层内设置有导电介质,导电介质与线路层连接;二极管芯片与导电介质连接,与线路层实现互联形成桥式电路结构。通过上述方式,能够提高半导体器件的封装集成度与封装密度,满足二极管芯片的封装可靠性与耐用性,提高生产效率,满足生产需求。
技术关键词
二极管芯片 半导体器件 线路 导电柱 桥式电路结构 安装面 封装材料 载板 层叠 焊锡 通孔 阴极 阳极 包裹 密度
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