一种光疗用红黄光的LED外延结构和制备方法

本发明提供一种光疗用红黄光的LED外延结构及制备方法，其结构自下而上包括：衬底，石墨烯/GaAs缓冲层，n型半导体层，InGaAs/GaAs多量子阱发光层，p型半导体层，GaAs接触层；其中，在GaAs衬底上，衬底不限于GaAs，InP，锗，硅，沉积GaAs/石墨烯周期性结构作为缓冲层，3‑50个周期，光学厚度为λ/4；所述多量子阱发光层包括由下至上依次沉积生长的红光多量子阱子层和黄光多量子阱子层。通过采用由石墨烯缓冲层交替制备LED外延，利用石墨烯导电性好，透光率强，提升了缓冲层的导电性，降低了芯片的内阻，从而提升了LED芯片的光电转换效率；并采用多量子阱层，产生红黄光以用于光疗设备；尺寸小，低电流密度。