一种多芯片封装结构和功率器件

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一种多芯片封装结构和功率器件
申请号:CN202510764768
申请日期:2025-06-10
公开号:CN120280429B
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种多芯片封装结构和功率器件,涉及功率半导体器件领域,该封装结构包括第一DBC基板和位于其上的多个第二DBC基板,第二DBC基板具有上水平段、下水平段及连接二者的竖直段。多个第二DBC基板从左往右依次排列,相邻两个第二DBC基板中,一个的下水平段上表面与芯片下表面锡焊固定,另一个的上水平段下表面与该芯片上表面锡焊固定。最左端第二DBC基板的上水平段上表面与功率器件第一电源引出端连接,相邻第二DBC基板的上水平段上表面相连形成导电路径;第一DBC基板上表面与功率器件第二电源引出端连接,各第二DBC基板下水平段下表面均与第一DBC基板上表面锡焊固定。本发明的封装可靠性高,适用于高温下工作。
技术关键词
DBC基板 多芯片封装结构 功率器件 锡焊 导电路径 功率半导体器件 散热结构 电源 键合线 端子
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