一种含金锡图形的光刻胶剥离方法及晶圆芯片的制备方法

本发明公开了一种含金锡图形的光刻胶剥离方法及晶圆芯片的制备方法，属于集成电路制造与封装领域，在晶圆光刻图形化形成金锡合金层后，去除光刻胶包括以下步骤：S8，浸入丙酮溶液，在0.2A~1 A电流下超声10min~30 min，浸入异丙醇溶液1min~10 min；S9，等离子去胶机去光刻胶得晶圆芯片产品。本发明在不损伤金锡合金的性能前提下，通过湿法和干法去胶工艺的协同作用，快速得到无光刻胶残留的金锡晶圆产品。